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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
50
读取速度,GB/s
15.0
13.5
写入速度,GB/s
10.1
8.5
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2424
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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