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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
18.9
写入速度,GB/s
10.1
16.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3835
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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