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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
21300
左右 1.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
15.0
15.2
写入速度,GB/s
10.1
11.8
内存带宽,mbps
21300
23400
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2913
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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