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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
16.8
写入速度,GB/s
10.1
13.3
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
3326
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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