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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
15.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.1
15.2
写入速度,GB/s
12.2
10.7
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2873
2773
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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