SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    16 left arrow 15.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 33
    左右 -22% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 27
  • 读取速度,GB/s
    16.0 left arrow 15.2
  • 写入速度,GB/s
    12.1 left arrow 10.2
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3082 left arrow 2764
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最新比较