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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
15.7
15.8
写入速度,GB/s
11.6
11.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
2824
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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