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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
50
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
50
读取速度,GB/s
15.5
15.3
写入速度,GB/s
12.2
10.9
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2902
2512
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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