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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
10.1
20.5
写入速度,GB/s
7.0
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
3687
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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