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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB

总分
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

总分
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 58
    左右 -66% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    8.2 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 11.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1718 left arrow 2815

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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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内存RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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