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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
64
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
64
读取速度,GB/s
9.8
18.0
写入速度,GB/s
8.2
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2197
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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