RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 51
    左右 -34% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 6.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2182 left arrow 1493

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
内存RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
内存RAM