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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
11.6
13.7
写入速度,GB/s
7.3
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2311
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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