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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
11.6
10.6
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2503
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
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