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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.6
17.7
写入速度,GB/s
7.3
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3587
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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