RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3587
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link