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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9965662-002.A01G 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.6
8.6
写入速度,GB/s
7.3
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2079
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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