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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
11.6
14.2
写入速度,GB/s
7.3
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2890
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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