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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
54
读取速度,GB/s
11.8
10.4
写入速度,GB/s
6.4
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2003
2259
Kingston HP698651-154-MCN 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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