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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
11.6
14.5
写入速度,GB/s
7.3
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2480
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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