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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
11.6
15.3
写入速度,GB/s
7.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2648
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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