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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
54
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
54
读取速度,GB/s
11.6
10.9
写入速度,GB/s
7.3
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2176
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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