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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
43
左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
20
读取速度,GB/s
10.7
18.7
写入速度,GB/s
6.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3287
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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