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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
94
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.1
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
94
读取速度,GB/s
10.7
11.1
写入速度,GB/s
6.8
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
1699
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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