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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
10.7
17.7
写入速度,GB/s
6.8
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3692
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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