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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
10.7
12.7
写入速度,GB/s
6.8
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
1718
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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