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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
10.7
17.7
写入速度,GB/s
6.8
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3198
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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