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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.7
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
52
读取速度,GB/s
10.7
10.5
写入速度,GB/s
6.8
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2236
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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