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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
51
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.7
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
51
读取速度,GB/s
10.7
10.6
写入速度,GB/s
6.8
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2359
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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