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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
61
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
61
读取速度,GB/s
10.7
17.6
写入速度,GB/s
6.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2113
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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