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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
10.9
16.0
写入速度,GB/s
6.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2947
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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