RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2947
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link