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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2947
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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