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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
8.1
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3686
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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