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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2962
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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