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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2858
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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