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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3047
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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