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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.1
9.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2713
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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