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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
12.3
11.8
写入速度,GB/s
8.1
5.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
1884
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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