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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.2
17.0
写入速度,GB/s
8.4
15.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3509
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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