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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
17.1
写入速度,GB/s
1,950.7
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3409
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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