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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 9965662-009.A00G 16GB

总分
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

总分
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
Kingston 9965662-009.A00G 16GB 需要考虑的原因
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 43
    左右 -16% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1706 left arrow 2081

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较

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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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