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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
43
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
39
读取速度,GB/s
12.3
7.7
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
1768
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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