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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
12.3
14.8
写入速度,GB/s
8.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2340
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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