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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
9.8
21.4
写入速度,GB/s
7.2
17.2
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
4047
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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