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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
9.8
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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