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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

总分
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

总分
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 51
    左右 27% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB 需要考虑的原因
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.5 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 51
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 10.5
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 5.5
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2065 left arrow 1941

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Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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