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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Kingston 9965669-017.A00G 16GB

总分
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

总分
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Kingston 9965669-017.A00G 16GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 37
    左右 -61% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 17.6
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2065 left arrow 3152

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G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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