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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
81
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
81
读取速度,GB/s
9.8
8.5
写入速度,GB/s
7.2
5.6
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
1651
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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