SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

总分
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

总分
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 54
    左右 31% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    10.4 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    37 left arrow 54
  • 读取速度,GB/s
    9.8 left arrow 10.4
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 8.5
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2065 left arrow 2226
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较